原理与结构：属于电解电容的一种，内部通过钽粉颗粒氧化形成介质层，充放电速度较快，但有极性。
特点：
• 体积小、容量大：同等体积下容量高于瓷片电容，ESR介于铝电解和瓷片电容之间。
• 抗浪涌能力差：易因瞬间大电流击穿短路，需避免用于高浪涌场景（如开关电源输入端）。
• 耐压与容量的权衡：颗粒细度决定容量，颗粒大小影响耐压，高耐压与大容量难以兼得。
3.铝电解电容（Aluminum Electrolytic Capacitor）
原理与结构：通过铝箔氧化和电解质化学反应充放电，响应速度慢（通常<1MHz），有极性。
特点：
• 大容量低成本：适合低频滤波（如电源输入端的纹波抑制），但ESR高（几百毫欧至几欧）
• 寿命受温度影响大：电解液易挥发，温度每升高10℃，寿命减半（例如27℃下10000小时，寿命在57℃时仅剩1250小时）。
去耦电容的设计逻辑与参数选择
1.去耦电容的作用
抑制共路耦合干扰：当芯片瞬间需要大电流时，去耦电容作为“临时电源”就近供电，避免因线路电感导致电压跌落，并减少对其他电路的干扰。
滤波与退耦的区别：
滤波：滤除外部噪声（如开关电源纹波），需大容量电容（如铝电解电容）。
退耦：抑制局部电路噪声外泄，需快速响应的电容（如瓷片电容）
2.关键参数选择
• 谐振频率：电容的ESL和容值决定谐振点（如0.1μF瓷片电容的谐振频率约10MHz），高于此频率时电容呈感性，失去退耦作用。
• ESR与多电容并联：低ESR可减少电压波动，多颗小电容并联（如两个0.01μF）比单颗大电容（如0.1μF）在高频段阻抗更低，退耦效果更优。
应用实例与布局技巧
1.实例：高速芯片的电源设计
多级电容组合：
芯片级：在芯片电源引脚附近放置多个瓷片电容（如0.1μF和0.01μF组合），覆盖宽频段阻抗需求。
模块级：功能模块电源入口处增加钽电容或铝电解电容（如10μF），补充低频储能。
典型配置：某500引脚BGA芯片要求3.3V电源至少配置30个瓷片电容和若干大电容，总容量≥200μF。
2.布局优化
电容放置顺序：电源输入依次为铝电解电容（滤低频噪声）→钽电容（中频）→瓷片电容（高频），形成“低阻抗通道”。
距离与走线：退耦电容尽量靠近芯片引脚，缩短电流回路，减少寄生电感影响。
选型与避坑指南
高频场景：优先选C0G/NP0材质的瓷片电容（温度稳定性好），避免Y5V。
钽电容慎用场景：开关电源输入端、存在浪涌电流的电路，改用铝电解或并联陶瓷电容。
寿命与散热：铝电解电容远离热源，高温环境可选用固态电解电容。返回搜狐，查看更多